长鑫科技宣布第五代DRAM技术实现量产

近年来，长鑫科技在2016年世界制造业大会上取得重大进展，正式推出了其第五代DRAM技术平台（G5平台），并实现量产。该公司展示了基于G5平台的新型大容量LPDDR5X内存，以及已量产的LPDDR6内存。

G5平台的核心优势在于其微缩制程，采用四重曝光技术，将内存阵列的有源区半间距缩小至11.95纳米，接近全球领先的内存制造标准。与之相比，三星目前的最先进DRAM制程为12纳米，长鑫的这一技术已达到了这一水平，且不依赖于EUV光刻机，而是利用ArF浸没式DUV技术实现的。

长鑫科技的副总裁骆晓东表示，第五代技术平台在多个关键工艺领域取得了先进突破。通过创新的四重曝光技术，存储电容的深宽比达到了45:1，且核心功能区尺寸缩小至6762纳米。此外，该平台提升了存储密度，每片晶圆的裸片产出量比第四代平台提高了至少50%，在能效和成本控制方面表现出色。 qy球友会官网

长鑫存储的第一代技术平台于2019年正式投入生产，推出了与国际主流DRAM产品相匹配的10纳米级8Gb DDR4。经过7年的发展，长鑫科技将在2026年登陆科创板，上市首日市值超3.28万亿元，成为A股市值最高的企业。随着全球存储芯片价格的急剧上涨，2026年上半年，公司业绩迎来了显著反转。

骆晓东强调，长鑫科技将继续推动全球市场需求下的技术进步，研发更高性能和可靠性的存储产品，致力于为全球数字产业提供强大的存储支持。